سامسونگ در جریان نمایشگاه FMS 2026 در کنار معرفی مفهوم zHBM، از تراشه حافظه V10 BV-NAND رونمایی کرد. این محصول از نسل دهم معماری حافظه فلش V-NAND بهره میبرد و یک ارتقای فنی بزرگ نسبت به نسلهای قبلی تراشههای فلش محسوب میشود.
سامسونگ در تولید این تراشه از فناوری جدید اتصال وافر استفاده کرده است و اولین شرکتی در این صنعت محسوب میشود که چنین معماری پیشرفتهای را به کار میگیرد. این تکنولوژی به شرکت اجازه میدهد بیش از ۴۰۰ لایه را روی یکدیگر قرار دهد که نتیجه آن افزایش ۵۸ درصدی تراکم حافظه در مقایسه با تراشههای نسل نهم است. این معماری جدید همچنین عملکرد خواندن، نوشتن و ورودی/خروجی را بهبود داده و بازدهی انرژی بهتری ارائه میدهد.
تراشه V10 BV-NAND برای پردازش بارهای کاری سنگین و لحظهای در سرورهای هوش مصنوعی (AI) طراحی شده است تا سرعت بالاتری ارائه دهد و مصرف انرژی را کاهش دهد. بااینحال، سامسونگ هنوز زمان عرضه تجاری آن را اعلام نکرده است، ولی احتمال دارد این تراشهها پیش از معرفی نسل بعدی یعنی V11 در سال ۲۰۲۷ روانه بازار شوند.
علاوهبر این تراشه، غول فناوری کرهای از مدل مفهومی zHBM نیز رونمایی کرد؛ معماری جدیدی که حافظه HBM را بهصورت عمودی دقیقاً روی شتابدهندههای هوش مصنوعی قرار میدهد. این طراحی فاصله انتقال داده را به حداقل رسانده و پهنای باند را تا ۸ برابر نسبت به HBM5 افزایش میدهد. همچنین با بهرهگیری از اتصال وافر، تراکم حافظه ۱۰ برابر و بازدهی انرژی ۳ برابر بهبود مییابد و مقاومت گرمایی را به نصف میرساند.
سامسونگ همچنین راهکار zNAND-O را برای محیطهای هوش مصنوعی در تجهیزات لبه (Edge AI) و پروژههای HBM4E و HBM5 را برای مرکز داده ارائه کرد. این شرکت بهعنوان تنها سازنده یکپارچه در این حوزه، اعلام کرده خدمات کامل از طراحی تا تولید یکپارچه را به مشتریان خود ارائه میدهد تا دوره توسعه محصولات هوش مصنوعی را کوتاهتر کند.
